Kronos垂直梯度凝固法系统，用以解决基本工艺问题。该系统的高工作压力意味着，即使其组分具有高蒸气压的材料也可以结晶。该系统可在10-40巴的压力范围内用于不同化合物半导体的结晶。这种方法支持晶体的工业化生产，例如砷化镓（GaAs）的工业化生产可以通过在最大10巴压力的标准版设备实现，而磷化铟（InP）的生产可以在最大40巴压力的标准版设备中实现。

SiCma系统专为通过物理气相传输系统（PVT）的方式生产碳化硅晶体而开发。在此过程中，粉末状的原材料在高温下被加热和升华，最后沉积在特定准备的基片上。这项工艺将通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热。随着全球工业领域环保意识的提高，PVA TePla也紧跟时代步伐，通过对该感应线圈进行优化设计以实现低能源消耗。

SR110区熔法硅芯炉的工作方式与区熔系统类似。该系统使用一个在高频感应线圈下直径为100毫米的多晶硅棒（源棒）。根据硅棒的长度，在多个拉动工艺中可以产生特定数量的硅芯；然后这些硅芯被用作西门子下游工艺中的原棒。通过隔离阀将接收炉体与工艺炉体分开，可以将完成的硅芯取出，并立即开始下一个工艺。通过引入扩散到熔体中的工艺气体可以对细杆进行掺杂处理。

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。

单腔立式甩干机适用于晶圆直径至200mm；25片晶圆单盒工艺；标准的高边和低边花篮；可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺；用冷或热的N2辅助晶圆干燥；离心头容易更换。 去静电装置安装于工艺腔室区：去离子水回收；去阻率检测装置；机械手自动加载；可放置台面操作的设备、单立、双腔；去离子水加热系统；底座置放不锈钢滚轮；溶剂灭火装置；适用特殊设计的花篮。

FZ-14M(G)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发，该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化，并在籽晶上结晶，形成单晶，然后进行光谱分析，以检测和记录所生产的多晶硅质量。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。